特許
J-GLOBAL ID：200903068610115445
熱酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173866
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343394
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板の表面上に、熱酸化法によるシリコン酸化膜を、良質に形成する。【構成】 シリコン基板の表面を弗酸系エッチャントを用いて清浄化させ、その清浄化された表面上に、清浄な熱酸化用雰囲気中での熱酸化によって、シリコン酸化膜を形成させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に、シリコン酸化膜を、熱酸化によって形成する方法において、上記シリコン基板に対し、前洗浄工程の最終エッチング工程において弗酸系のエッチャントによる工程を行った後、上記シリコン基板を電気炉に挿入する工程における雰囲気を、酸素を窒素または不活性ガスで希釈した雰囲気とすることを特徴とする熱酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/304 341
