特許
J-GLOBAL ID：200903068615697655
噴射装置のノズル形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132447
公開番号（公開出願番号）：特開平11-028820
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 段状断面のノズルを効率良く、簡単に形成可能な噴射装置のノズル形成方法を提案すること。【解決手段】 ノズルプレート2を形成するためのシリコンウエハ200にエッチングを施して、インク滴吐出方向の前側部分に形成された小断面ノズル部分21aと後側に形成された大断面ノズル部分21bとを備えた段状断面のノズル21を形成するに当たり、シリコンウエハ200表面200aにレジスト膜210を形成し、このレジスト膜210に対して、ハーフエッチングによるパターニングおよびフルエッチングによるパターニングを施し、次に、ICP放電による異方性ドライエッチングを施して、フルエッチングされた部分に溝を形成し、次に、ハーフエッチング部分のレジスト膜をエッチ除去して、当該部分に再度ICP放電による異方性ドライエッチングを施こす。この結果、段状断面のノズル21を形成できる。段状断面のノズルをエッチング加工するために繰り返しマスクパターンを形成する必要がないのでノズルを効率良く形成できる。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板にエッチングを施して、ノズルを形成する噴射装置のノズル形成方法において、前記シリコン単結晶基板の表面にレジスト膜を形成し、前記ノズルの後端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより第1の開口パターンを形成し、前記ノズルの先端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより、前記第1の開口パターンより小さな第2の開口パターンを形成し、前記第1、第2の開口パターンによって露出された前記シリコン単結晶基板表面の露出部分に対して異方性ドライエッチングを施して、後端側から先端側に向けて階段状に断面が小さくなったノズルを形成することを特徴とする噴射装置のノズル形成方法。
IPC (3件)：
B41J 2/135
, B41J 2/045
, B41J 2/055
B41J 3/04 103 N
, B41J 3/04 103 A
