特許
J-GLOBAL ID：200903068621190910
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258712
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112592
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】メサ部形成後の第二クラッド層の寸法精度を高める。【構成】第二クラッド層として下部第二クラッド層,GaAsとAlX Ga1-x Asからなる多重量子井戸構造を有するエッチングストップ層,上部第二クラッド層の順に積層した後、沃素系のエッチング液を用い、GaAsとAlX Ga1-x Asのエッチング速度の差を利用して、エッチングを確実に下部第二クラッド層で停止させることにより、第二クラッド層の厚さを高精度に制御する。また、多重量子井戸構造のエッチングストップ層は、多重量子障壁層の役割も兼備するので、活性層とクラッド層の障壁を高くし、電流の閉じ込めを強めることができる。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板の一主面上に第一導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-</SB><SB>x </SB>As第一クラッド層,Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-Y </SB>As(0<Y<X<1)活性層,第二導電型のAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-x </SB>As第二クラッド層,第二導電型のGaAsオーミックコンタクト層を順次積層した後、選択エッチングにより前記第二クラッド層と前記オーミックコンタクト層を含む条状メサ部を形成し、このメサ部側面に第一導電型の電流阻止層を埋め込む半導体レーザ素子の製造方法であって、前記第二クラッド層として下部第二クラッド層,GaAsとAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-x </SB>Asからなり多重量子井戸構造を有するエッチングストップ層,上部第二クラッド層の順に積層し、前記エッチングストップ層まで選択エッチングを行ない前記メサ部を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
