特許

J-GLOBAL ID：200903068621405631

太陽電池の製造方法およびこの方法で製造された太陽電池

発明者： 平沢 照彦 ,  徳永 勝志
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313600
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138386
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高効率な太陽電池の生産性を向上させ得る太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともP型シリコン基板1に、リンが高濃度にドープされたn++部を表面に有するリン接合層2を形成した後、該n++部3上に表面電極6を形成し、P型シリコン基板裏面に裏面電極7を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト15を表面電極が形成されるパターンに対応してP型シリコン基板1に印刷し、該P型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、n++部3を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。および、この方法で製造された太陽電池。

請求項（抜粋）：

少なくともP型シリコン基板に、リンが高濃度にドープされたn++部を表面に有するリン接合層を形成した後、該n++部上に表面電極を形成し、P型シリコン基板裏面に裏面電極を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペーストを表面電極が形成されるパターンに対応してP型シリコン基板に印刷し、該P型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、n++部を表面に有するリン接合層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

Fターム (7件)：

5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051EA18 ,  5F051FA10 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光電変換装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268027   出願人：シヤープ株式会社