特許
J-GLOBAL ID：200903068630267497
半導体装置およびそれを用いる電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
, 佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-258880
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096051
出願日： 2002年09月04日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】高耐圧、低オン電圧であり、安全動作領域の広いIGBTを得ることである。【解決手段】コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともp+n-pn+構造と、n-層とp層との間にn-層よりも高濃度のn層と有するIGBTにおいて、n-層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。高濃度のn層でアバランシェが起こるため、安全動作領域が拡大する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板内に位置する第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に隣接する第2導電型の第2の半導体領域と、前記半導体基板の一方の主表面から前記第2の半導体領域内に延び、キャリア濃度が前記第2の半導体領域のキャリア濃度より高い第2導電型の第3の半導体領域と、前記半導体基板の一方の主表面から延び前記第3の半導体領域内に位置する第1導電型の第4の半導体領域と、前記半導体基板の一方の主表面から延び前記第4の半導体領域内に位置する第2導電型の第5の半導体領域と、前記第2、第3、第4及び第5の半導体領域の前記一方の主表面への露出面に対向して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に隣接して形成されたゲート電極と、前記第4の半導体領域と第5の半導体領域に低抵抗接触したエミッタ電極と、前記第1の半導体領域に低抵抗接触したコレクタ電極とを備え、前記第3の半導体領域のうち、前記ゲート電極の間に位置し、前記第3の半導体領域よりキャリア濃度の高い第7の半導体領域が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 655A
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658E
