特許

J-GLOBAL ID：200903068633690803

半導体受光素子

発明者： 小神野 毅 ,  福島 徹 ,  笠原 大 ,  柴田 光義
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312637
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142759
出願日： 1993年11月18日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 受光感度が高く、応答速度が速い半導体受光素子を提供する。【構成】 半導体基板11上に、半導体光吸収層13および半導体窓層14を順次積層し、前記半導体窓層14の窓部を除いて、半導体窓層14上にパッシベーション膜16を介して電極18を設けた半導体受光素子において、前記パッシベーション膜16と電極18間にポリイミド樹脂層17を挿入する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、半導体光吸収層および半導体窓層を順次積層し、前記半導体窓層の窓部を除いて、半導体窓層上にパッシベーション膜を介して電極を設けた半導体受光素子において、前記パッシベーション膜と電極間にポリイミド樹脂層を挿入したことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/90 S ,  H01L 31/10 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-174680
  
• 特開昭61-174680