特許
J-GLOBAL ID：200903068639069701
半導体セラミック素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020537
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230902
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】 昇温状態での抵抗値を小さくして電力消費量を低減するとともに、大電流にも対応可能とし、かつ電極の改良により、特性値の安定性、信頼性が得られる負の温度特性を有する半導体セラミック素子を提供することである。【構成】 ペロブスカイト構造を持つランタンコバルト系酸化物からなる負の抵抗温度特性を有するセラミック素体を用いた半導体セラミック素子において、半導体セラミック素体の表面に形成された電極が乾式めっき薄膜であることを特徴とする半導体セラミック素子。
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト構造を持つ希土類遷移元素系酸化物からなる負の抵抗温度特性を有するセラミック素体を用いた半導体セラミック素子において、前記半導体セラミック素体の表面に形成された電極が乾式めっき薄膜であることを特徴とする半導体セラミック素子。
引用特許：
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