多結晶半導体薄膜の製造方法及びレーザアニール装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102012
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275336
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】例えばアモルファスシリコン膜をレーザ光により多結晶化するにあたって、水素の放出による膜の損傷を防止すること。【構成】支持プレート21上に支持台22を介して真空チャンバ3を設け、真空チャンバ3の底面に窓33を形成すると共に、この窓33の下方側にて支持プレート21上にレーザ光照射部6を移動機構73によりX、Y方向に移動自在に設置する。真空チャンバ3内にa-Si:H膜を形成した面が下向きとなるようにLCD基板4を配置し、レーザ光照射部6によりエネルギーを段階的に大きくすると共に質量分析器で水素の放出量を監視しながらa-Si:H膜を複数回照射する。これによりa-Si:H膜中の水素が徐々に放出され、多結晶化する。

請求項（抜粋）：

水素化非晶質半導体薄膜をレーザ光の照射により多結晶化し製造する方法において、レーザ光の照射エネルギーを順次大きくして水素化非晶質半導体薄膜中の水素を段階的に放出させることを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-177422
特開平2-295111
特開昭64-076715

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