特許

J-GLOBAL ID：200903068653658639

MnMgCuZnフェライト材料の製造方法

発明者： 村瀬 琢 ,  青木 卓也 ,  佐藤 直義
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 米田 潤三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165875
公開番号（公開出願番号）：特開平11-343121
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 比較的抵抗率が高く、原料コストの安いMnMgCuZnフェライト材料の利点を生かし、既存の同系列の材料よりもはるかに飽和磁束密度が高く、また磁気損失も十分に小さいという優れた特性を有するMnMgCuZnフェライト材料の製造方法を提供する。【解決手段】 酸化鉄を47.0〜50.4モル%、酸化マグネシウムを14.0〜23.0モル%、酸化亜鉛を19.5〜22.5モル%(22.5モル%は含まない)、酸化銅を6.5〜15.5モル%、酸化マンガンを0.1〜3.5モル%の範囲で含有する材料を1190°C以下の温度で燒結してMnMgCuZnフェライト材料とする。

請求項（抜粋）：

酸化鉄47.0〜50.4モル%、酸化マグネシウム14.0〜23.0モル%、酸化亜鉛19.5〜22.5モル%(22.5モル%は含まない)、酸化銅6.5〜15.5モル%、酸化マンガン0.1〜3.5モル%の組成範囲にある材料を1190°C以下の温度で燒結することを特徴とするMnMgCuZnフェライト材料の製造方法。

IPC (3件)：

C01G 49/00 ,  C04B 35/26 ,  H01F 1/34

FI (3件)：

C01G 49/00 B ,  C04B 35/26 L ,  H01F 1/34