特許
J-GLOBAL ID:200903068655725899
微小真空デバイス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-329952
公開番号(公開出願番号):特開平8-138561
出願日: 1993年11月30日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】 比較的低真空であっても電子放出特性を向上させ,電源電圧を比較的小さくし,また,半導体のマイクロマシーンニング技術を用いて形成できるようにし,微細で精度がよい宙に浮いた構造の薄膜ヒータを持った電子エミッタを有する微小真空デバイスを容易に大量生産可能にする。【構成】 真空中に配置した薄膜ヒータ兼電子エミッタ106,ゲート104およびコレクタ102を有する微小真空デバイスにおいて,薄膜ヒータ兼電子エミッタ106を宙に浮いた状態で薄膜状に形成し,薄膜ヒータ兼電子エミッタ106が電子を電界放出するように空隙を介して薄膜ヒータ兼電子エミッタ106をゲート104に近接配置したものである。
請求項(抜粋):
真空中に配置した電子エミッタ,ゲートおよびコレクタを有する微小真空デバイスにおいて,前記電子エミッタを宙に浮いた状態の薄膜ヒータ上に薄膜状に形成し,前記電子エミッタが電子を電界放出するように空隙を介して前記電子エミッタを前記ゲートに近接配置したことを特徴とする微小真空デバイス。
IPC (3件):
H01J 21/06
, H01J 1/15
, H01J 1/30
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