特許

J-GLOBAL ID：200903068661914067

ダイオードの半田付け構造

発明者： 丸尾 尚史 ,  内田 光章
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176350
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027675
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 余剰半田のはみ出しを防止して、接合信頼性を向上する。【解決手段】 ダイオードチップ4を金属板(導体片)5に半田付けするに当たり、金属板5の半田付け面5aに格子状あるいは放射状の多数の細溝10を形成し、余剰半田が生じた場合、半田が毛細管現象によって細溝10に吸収されるようにした。

請求項（抜粋）：

ダイオードチップ4を金属板5に半田付けした構造において、ダイオードチップ4と金属板5の半田付け面5aに多数の細溝10を形成したことを特徴とするダイオードの半田付け構造。

IPC (3件)：

H05K 3/34 501 ,  H01R 4/02 ,  H01R 13/66

FI (3件)：

H05K 3/34 501 A ,  H01R 4/02 Z ,  H01R 13/66