薄膜形成法及び装置並びに集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-309986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158299
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】高密度集積回路のコンタクトホール等のカバレッジを大幅に改善できるバイアススパッタ法及び装置を提供すること。【構成】本発明は、カバレッジとホール底部のダメージを改善する手段としてターゲットと基板間の距離を従来のスパッタ法,バイアススパッタ法より長くし、圧力の低い条件で膜形成することにより基板に対し垂直スパッタ粒子を多くし、ホール底部に多く膜を堆積させホール底部のダメージを防止すると共にカバレッジを改善するバイアススパッタ法である。【効果】アスペクト比1.5 以上の高密度集積回路のコンタクトホール等のカバレッジを大幅に改善できるので高密度集積回路の信頼性を向上させる。

請求項（抜粋）：

スパッタ法,バイアススパッタ法,バイアスとスパッタを交互に行うバイアススパッタ法において、ターゲットと基板間距離を115mm以上,膜形成圧力を660mPa以下で膜形成することを特徴とする薄膜形成法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285 301 , H01L 21/31 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-195272
特開平3-223462
特開平3-129737

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