半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230517
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074218
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】サブピーク光の発生を抑制しうる新たな構造が付与された発光素子を提供すること。【解決手段】発光部3と結晶基板1との間に、発光部が発するメインピーク光光L1による励起によって基板から発せられるサブピーク光L2を基板側に反射する反射層2が設けられた半導体発光素子。反射層は、メインピーク光のエネルギーよりも大きいバンドギャップの材料のものが好ましく、互いに屈折率の異なる化合物半導体からなる2層1組の結晶層を複数組積層したものが好ましい。また、反射層を構成する一対の半導体層のうち、一方の半導体層のバンドギャップをメインピーク光のエネルギーと同等としてもよい。さらに、発光部と反射層との間に、メインピーク光を反射する反射層が設けられた態様も好ましい。

請求項（抜粋）：

結晶基板と発光部との間に、発光部が発する光による励起によって基板から発せられる光が、発光部側へ透過することを抑制する反射層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

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