特許
J-GLOBAL ID：200903068664581239
半導体搭載用基板とその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-302352
公開番号（公開出願番号）：特開平11-140659
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：
【要約】【課題】半田ボール端子と半田ボールの接合強度に優れた半導体搭載用基板とその製造方法を提供する。【解決手段】金属からなる回路上に無電解ニッケルめっき皮膜が形成され、その無電解ニッケルめっき皮膜上に無電解パラジウムめっき皮膜が形成され、その無電解パラジウムめっき皮膜上に無電解金めっき皮膜が形成された半導体搭載用基板において、無電解ニッケルめっき皮膜が、ニッケル-燐合金のめっき皮膜とその上に形成されたニッケル-ホウ素合金皮膜である半導体搭載用基板と、金属からなる回路上に、無電解ニッケル-燐合金めっき皮膜、無電解ニッケル-ホウ素合金めっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、および無電解金めっき皮膜を順次形成する半導体搭載用基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
金属からなる回路上に無電解ニッケルめっき皮膜が形成され、その無電解ニッケルめっき皮膜上に無電解パラジウムめっき皮膜が形成され、その無電解パラジウムめっき皮膜上に無電解金めっき皮膜が形成された半導体搭載用基板において、無電解ニッケルめっき皮膜が、ニッケル-燐合金のめっき皮膜とその上に形成されたニッケル-ホウ素合金皮膜であることを特徴とする半導体搭載用基板。
IPC (3件)：
C23C 18/52
, C23C 18/50
, H01L 21/288
C23C 18/52 B
, C23C 18/50
, H01L 21/288 N
