特許

J-GLOBAL ID：200903068666434330

セルフアラインゲート構造および集束リングの形成法

発明者： トラング・ティー・ドーン ,  タイラー・エイ・ロウリー ,  デイビット・エイ・キャセイ ,  ジェイ・ブレット・ロルフソン
出願人/特許権者： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075117
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275189
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は電界放出ディスプレイに使用される電子放出器の先端13の周囲にセルフアラインゲート15および集束リング19構造を形成するための選択的エッチングおよびケミカルメカニカルプラナリゼーション法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の方法においては、放出器の先端13は、i)場合によっては酸化により尖鋭化され、ii)第1絶縁層18が堆積され、 iii)導電層15が堆積され、iv)第2絶縁層14が堆積され、v)集束電極リング層19が堆積され、vi)場合によっては緩衝材21が堆積され、 vii)ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)工程により平坦化されて第2絶縁層14の1部が露出し、viii)エッチングされてセルフアラインゲートおよび集束リング19を形成し、それにより放出器の先端13が露出し、その後、ix)放出器の先端13は低仕事関数の材料で被覆される。

請求項（抜粋）：

次の工程、絶縁層14,18および導電層15,19でオーバーレイされた少なくとも1個の電子放出器13を平坦化し、前記平坦化にはケミカルメカニカル手段が含まれ、そして選択的に前記絶縁層14,18および導電層15,19を除去し、それにより前記電子放出器13の少なくとも1部を露出させること、を含む電子放出器13の周囲にセルフアラインゲート15および集束リング19を形成する方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-022329
  
• 特開昭49-122269
  
• 特開昭52-119164
  
• 特開昭51-021471
  
• 特開平3-194829