特許

J-GLOBAL ID：200903068666952943

半導体装置の製造方法

発明者： 黒田 英明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-257960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125016
出願日： 1994年10月24日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 隣接配線間容量を低減するとともに、金属配線間のギャップ処理など加工プロセスを容易にした半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板10上に形成された金属配線12...上に絶縁層13を形成する工程と、予め用意した耐熱性高分子フィルム15の表面に絶縁膜16を形成する工程と、絶縁膜16を形成した耐熱性高分子フィルム15を、その絶縁膜16側が基板10上に形成された絶縁層13に密着するようにして基板10上に当接させ、その状態で耐熱性高分子フィルム15を灰化除去する工程とを備えてなる半導体装置の製造方法。耐熱性高分子フィルム15と基板10とを当接させるに先立ち、耐熱性高分子フィルム15の絶縁膜16面および基板10上の絶縁層13面のうちの少なくとも一方をプラズマ処理するか、あるいは表面改質剤を吸着させてもよい。。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された金属配線上に絶縁層を形成する工程と、予め用意した耐熱性高分子フィルムの表面に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を形成した耐熱性高分子フィルムを、その絶縁膜側が前記基板上に形成された絶縁層に密着するようにして該基板上に当接させ、その状態で前記耐熱性高分子フィルムを灰化除去する工程とを備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/90 V