特許
J-GLOBAL ID：200903068668262936

単分子電子デバイス

発明者：
エレンボーゲン ジェームス シー.

エレンボーゲン ジェームス シー. について


出願人/特許権者：
ザ ミトレ コーポレーション

ザ ミトレ コーポレーション について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-544818
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510060
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
一組のダイオードのセクションを作るため分子環構造の間に化学結合されている少なくとも1つの障壁の絶縁基と、ダイオードのセクションの前記組の一方に化学結合されている少なくとも1つのドーパントの基と、前記少なくとも1つのドーパントの基により形成された固有バイアスに影響を与えるため前記1つのダイオードのセクションに化学結合されている分子のゲート構造とを有する分子ダイオードを含む単分子デバイスが提供されている。このように作られた前記デバイスはスイッチングと電力利得の両方を示す分子の電子トランジスタとして動作する。更に他の絶縁基を前記ダイオードのセクションの他のセクションに加えることにより、電気抵抗が形成されインバーター又はNOTゲート機能をあらわす。前記NOTゲートは複雑なブール関数と電力利得を示す単一分子を形成するよう分子のダイオード-ダイオードの論理構造に化学結合されている。
請求項（抜粋）：
少なくともひとつの絶縁基と化学的に結合した複数の分子導電性配線を有し、該分子導電性配線の少なくともひとつはドーパントの置換基に化学的に結合して前記絶縁基の両端に固有バイアスを形成し、前記少なくともひとつの分子導電性配線に化学的に結合する第2の絶縁基を有し、電流を通す錯体が前記第2の絶縁基に化学的に結合して電力利得をしめす単一分子を形成し、前記第2の絶縁基は前記ドーパントの置換基の十分近くにあって前記電流を通す錯体に印加される電位により前記固有バイアスに影響を与えることを特徴とする単分子電子デバイス。
IPC (4件)：
H01L51/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/88
FI (5件)：
H01L29/28 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/06 601W ,  H01L29/66 T ,  H01L29/88 S
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 仏国特許第2306531号公報
  • 国際公開第97/36333号パンフレット
審査官引用 (2件)

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