特許

J-GLOBAL ID：200903068669530004

プラズマディスプレイ装置

発明者： 山口 明雄 ,  神山 當治 ,  河村 達郎 ,  田辺 英夫 ,  川崎 浩 ,  木島 勇一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018877
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214569
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 装置の大型化を図った場合でも高い輝度特性を有し、表示駆動回路が複雑でなく、装置の寿命が短くならないプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】 管1内に、中間絶縁層9を介して重ね合わせたメモリー素子61、62 、平行配置の複数本のアノード電極4、アノード電極4と直交して平行配置の複数本のカソード電極5を設け、メモリー素子61 、62 は、メモリー電極71 、72 、電極71 、72 を内封して電極71 、72 間にマトリクス状に複数の貫通孔81H、82Hを有する絶縁膜81 、82 からなり、中間絶縁層9は、貫通孔81H、82Hと同数の貫通孔9H を有し、メモリー素子61 、62 と中間絶縁層9とを重ね合わせた際、貫通孔81H、82Hと対応する貫通孔9H を各別に連通させた複数の連通部に、アノード電極4とカソード電極5を結合させて複数の放電セル10を形成し、中間絶縁層9の厚さを0.3乃至2.0mmの範囲に選んだ。

請求項（抜粋）：

放電気体を封入したプラズマディスプレイ管内に、中間絶縁層を介して重ね合わせた一対のメモリー素子と、平行配置された複数本の第1アドレス電極と、前記第1アドレス電極と直交するように平行配置された複数本の第2アドレス電極とを設け、前記一対のメモリー素子は、平行配置されたメモリー電極と、前記メモリー電極を内封するとともに前記メモリー電極とともにマトリクス状に複数の貫通孔を有する絶縁膜とからなり、前記中間絶縁層は、前記一対のメモリー素子の前記複数の貫通孔と同数の複数の貫通孔を有し、前記一対のメモリー素子と前記中間絶縁層とを重ね合わせた際に、前記一対のメモリー素子の複数の貫通孔と対応する前記中間絶縁層の複数の貫通孔を各別に連通させた複数の連通部に、前記第1アドレス電極及び前記第2アドレス電極とを結合させて複数の放電セルを形成し、前記中間絶縁層の厚さを0.3乃至2.0mmの範囲内に選んだことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。