特許

J-GLOBAL ID：200903068673377571

半導体パッケージ

発明者： 熊本 晋吾
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-226065
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071698
出願日： 2002年08月02日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】半導体パッケージ内部の接続信頼性に優れ、反り変形の少ない薄型軽量の半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体素子と、該半導体素子を取り巻く如く配置される基板と、該基板の一方の面側であって半導体素子の内部接続端子側に、該内部接続端子と接続される配線と絶縁層が積層されてなる配線層とを有する半導体パッケージであって、前記基板は、樹脂層と、前記半導体素子を取り巻く30〜200°Cの平均熱膨張係数が-5ppm/°C以上10ppm/°C以下の低熱膨張金属層とが複合されている半導体パッケージである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子を取り巻く如く配置される基板と、該基板の一方の面側であって半導体素子の内部接続端子側に、該内部接続端子と接続される配線と絶縁層が積層されてなる配線層とを有する半導体パッケージであって、前記基板は、樹脂層と、前記半導体素子を取り巻く30〜200°Cの平均熱膨張係数が-5ppm/°C以上10ppm/°C以下の低熱膨張金属層とが複合されていることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (2件)：

H01L23/12 ,  H01L23/14

FI (2件)：

H01L23/12 501P ,  H01L23/14 M