特許

J-GLOBAL ID：200903068678052670

不揮発性メモリおよびデータ書込み、読出し方法

発明者： 古川 継宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155366
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003594
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 従来のフラッシュメモリは、消去、書込みの繰り返しによるゲート絶縁膜へのダメージが大きく、書き換え回数が多くなると、メモリの信頼性が低下するという課題があった。【解決手段】 しきい値電圧の高い状態と低い状態とにより情報を記憶する複数のメモリセルと前記複数のメモリセルのコントロールゲートに接続されるワード線とを有するメモリアレイを有する不揮発性半導体メモリにおいて、書込みデータのビットのうちしきい値を変化させるデータの数を計数し、その計数結果に基づいてしきい値を変化させるビットの数が書込みデータのビット数の半分以上か半分以下かを判定し、その判定結果に基づいてしきい値を変化させるビットの数が書込みデータのビット数の半分以上あるときはデータを反転し半分以下のときは書込みデータを反転せずに上記メモリアレイに供給して書込みを行なうようにした。

請求項（抜粋）：

しきい値電圧の高い状態と低い状態とにより情報を記憶する複数のメモリセルと前記複数のメモリセルのコントロールゲートに接続されるワード線とを有するメモリアレイと、書込みデータのビットのうちしきい値を変化させるデータの数を計数するカウンタ回路と、該カウンタ回路の計数結果に基づいてしきい値を変化させるビットの数が所定数以上か否かを判定する判定回路と、この判定回路の判定結果を記憶する制御情報記憶手段と、上記判定回路の判定結果に基づいて書込みデータを反転可能であるとともに上記制御情報記憶手段から読み出された制御情報に基づいて上記メモリアレイより読み出されたデータを反転可能なデータ反転回路とを備えてなることを特徴とする不揮発性メモリ。