特許

J-GLOBAL ID：200903068679837469

窒化物結晶の製造方法および窒化物系化合物半導体結晶の製造方法

発明者： 古屋 貴士 ,  柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072965
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264797
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】【課題】 III 族金属元素の窒化物系化合物半導体の単結晶成長のための原料として使用されたとき、結晶成長温度において分解を起こすことのない窒化物結晶の製造方法と、この窒化物結晶を使用した窒化物系化合物半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 窒素ガスを送り込まれる導入管6をGa融液4の中に挿入し、高周波発振ソレノイドコイル5からのクラッキング作用によって導入管6内の窒素ガスをクラッキングし、これにより発生する窒素ラジカルをGa融液4の中に送り込むことによって窒化物結晶を製造する。このようにして製造された高耐熱性の窒化物結晶を使用して窒化物系化合物半導体結晶を成長させることにより、結晶粒の大きな半導体結晶を得る。

請求項（抜粋）：

III 族金属元素の融液に窒素成分を作用させて前記III 族金属元素の窒化物結晶を生成させる窒化物結晶の製造方法において、前記窒素成分として、窒素ラジカルを使用することを特徴とする窒化物結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/00 ,  C30B 23/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 19/00 S ,  C30B 23/00

Fターム (7件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077FB03 ,  4G077SA04