特許
J-GLOBAL ID：200903068682980213

半導体装置

発明者：
山葉 隆久

山葉 隆久 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026029
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190551
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 上下の配線層のうち下方の配線層の上に反射防止膜を設けた多層配線構造において、層間接続部の抵抗を低減する。【構成】 半導体基板10の表面を覆う絶縁膜12の上にAl又はAl合金層14b、Ti層14d及びTiN層14cを順次に積層した形の第1配線層14を形成した後、配線層14を覆って層間絶縁膜16を形成する。そして、絶縁膜16に接続孔16Aを形成してから接続孔16Aを介して配線層14に接続されるように第2配線層18を形成する。Al又はAl合金層14bと反射防止膜としてのTiN層14cとの間にTi層14dを形成したので、TiN層14cを形成する際にはTi層14dの表面がわずかに窒化されるものの、Al又はAl合金層14bの表面が窒化されることはなく、接続抵抗を大幅に低減可能である。
請求項（抜粋）：
多層配線構造を有する半導体装置において、該多層配線構造は、(a)第1の絶縁膜と、(b)この第1の絶縁膜の上に形成された第1の配線層であって、Al又はAl合金層の上にTi層を介してTiNからなる反射防止膜を形成した構成のものと、(c)前記第1の絶縁膜及び前記第1の配線層を覆って形成され、該第1の配線層の一部に対応した接続孔を有する第2の絶縁膜と、(d)この第2の絶縁膜の上に形成され、前記接続孔を介して前記第1の配線層に接続された第2の配線層とをそなえていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/90
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開昭63-128646
  • 特開平3-041717
  • 特開平1-266746
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