特許

J-GLOBAL ID：200903068691553506

青色発光ダイオード

発明者： 中村 修二 ,  妹尾 雅之 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034234
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063236
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 V<SB>F</SB>が低く、高輝度である、即ち発光効率の高いp-n接合発光ダイオードを実現できる新規な構造を提供する。【構成】 基板1上にGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X≦1の範囲である。)バッファ層2と、その上にp型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層3と、その上にn型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層4とが、順に積層された構造を有する青色発光ダイオード。

請求項（抜粋）：

基板上にGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X≦1の範囲である。)バッファ層と、その上にp型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層と、その上にn型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層とが、順に積層された構造を有することを特徴とする青色発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-288371
  
• 特開昭59-228776
  
• 特開平2-288371
  
• 特開平2-042770