特許

J-GLOBAL ID：200903068694590402

単一電子デバイスの製造方法

発明者： ウオルフガング レースナー ,  トーマス フオーゲルザング
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087596
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273331
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 シリコンMOS技術で少なくとも2つのゲート面を有する単一電子デバイスを作り、しかも両ゲート面を互いに自己整合的に作る。【構成】 シリコン基板14内に画成した能動領域の表面にゲート誘電体16を設け、微細構造化法により100nm以下の微細構造を有する第1のゲート面12を形成し、その表面及び側面を絶縁層17、17aで覆い、第1のゲート面12の微細構造を少なくとも能動領域の範囲内において覆う第2のゲート面13を作る。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(14)内に能動領域(11)を画成し、能動領域(11)の表面にゲート誘電体(16)を設け、微細構造化法を用いて100nm以下の寸法の微細構造を含む第1のゲート面(12)を形成し、この第1のゲート面(12)の表面及び側面に絶縁層(17、17a)を備え、第1のゲート面の微細構造を少なくとも能動領域(11)の範囲内において覆う第2のゲート面(13)を作ることを特徴とする単一電子デバイスの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 49/00

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 27/04 F