特許

J-GLOBAL ID：200903068697252966

半導体ダイオードレーザ及びその製造方法

発明者： ヨセフス ペトラス ウェテリンフス
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022527
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252511
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 活性領域の端面として湾曲面を用いた半導体ダイオードレーザにおいて、始動電流の増大の原因となる散乱を防止する。【構成】 湾曲された端面20を、細条状活性領域3Aの屈折率とは異なる屈折率を有する材料より成る被覆層9で被覆し、この被覆層9の材料の屈折率と前記の端面20の曲率半径とを、湾曲された前記の端面20で発生される電磁放射の散乱が前記の所定のレンズ力で最小となるように選択する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板(1)と、この基板上に位置する半導体層構造体とを有する半導体本体(10)を具える半導体ダイオードレーザであって、前記の半導体層構造体は2つのクラッド層(1,4)間に配置した活性層(3)と、順バイアス方向の充分な電流強度が与えられた前記活性層(3)の細条状活性領域(3A)中に電磁放射を発生せしめうるpn接合とを有し、前記の細条状活性領域(3A)の端面(20)は所定のレンズ力のレンズを形成するように湾曲されている当該半導体ダイオードレーザにおいて、湾曲された前記の端面(20)が、前記の細条状活性領域(3A)の屈折率とは異なる屈折率を有する材料より成る被覆層(9)で被覆され、この被覆層(9)の材料の屈折率と前記の端面(20)の曲率半径とは、湾曲された前記の端面(20)で発生される電磁放射の散乱が前記の所定のレンズ力で最小となるように選択されていることを特徴とする半導体ダイオードレーザ。