特許
J-GLOBAL ID：200903068698480954
基板の評価方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081427
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297247
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板14の表面に、シリコンよりも屈折率の大きな材質からなるプリズム11を接触させ、このプリズム11のシリコン基板と接する側の面で光12を全反射させ、前記プリズム11から前記シリコン基板14側に滲み出た光によって、前記シリコン基板14の表層の評価を行なうシリコン基板の評価方法。【効果】 シリコン基板の表層部分の不純物、結晶欠陥、汚染物質等及びシリコン基板の表面の付着物等を非破壊かつ高感度で評価することができる。
請求項（抜粋）：
基板の表面にこの基板よりも屈折率の大きな材質からなるプリズムを接触させ、このプリズムの前記基板と接する側の面で光を全反射させ、前記プリズムから前記基板側に滲み出た光によって、前記基板の表層または表面の評価を行なうことを特徴とする基板の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01M 11/00
, G01N 21/27
