不揮発性半導体多値記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-073787
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】書込み及び消去をファウラー・ノルトハイムトンネル電流を用いて行なうフラッシュメモリにおいて、多値記憶の読出し及び書込みを実現する。【解決手段】メモリセルM11〜Mmnは、m個毎にソース及びドレインが各々共通接続される。B1〜Bnはm個毎のメモリセルのビット線、W1〜Wmはワード線、WD1〜WDmはワードドライバである。このワードドライバの読出し用及び検証用の電源として複数の電圧を発生できるワード線電圧発生回路VWG1を設けた。ワード線電圧発生回路VWG2は書込み用電源で、接地電圧及び負電圧を発生する。多値記憶の隣合う記録レベル(しきい値)に相当するデータ間のハミング距離を1とすることにより、誤り訂正の回路構成が容易になる。【効果】検証動作時及び読出し動作時の複数のワード線電圧によって、多値データのメモリセルへの書込み及び多値データの読出しができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを含むメモリアレイを有し、上記各メモリセルは消去レベル、第1記録レベル、第2記録レベル、第3記録レベルの少なくとも4つの状態に設定することによりデータを書き込み可能であり、上記消去レベルと第2記録レベルの間に上記第1記録レベルが設定され、上記第1記録レベルと第3記録レベルの間に上記第2記録レベルが設定され、上記メモリアレイに対して所定のデータを書き込む際には、まず、第1記録レベル、第2記録レベルおよび第3記録レベルに設定すべきメモリセルを第1記録レベルに遷移させる第1の書き込み動作を行い、次に、第2記録レベルおよび第3記録レベルに設定すべきメモリセルを第2記録レベルに遷移させる第2の書き込み動作を行い、最後に、第3記録レベルに設定すべきメモリセルのみを第3記録レベルに遷移させる第3の書き込み動作を行い、隣り合うレベルに対応するデータ間のハミング距離が1となるように設定されることを特徴とする不揮発性半導体多値記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/02 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 641 , G11C 17/00 611 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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