特許
J-GLOBAL ID：200903068702410958
ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-019109
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 工程数を削減したハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。【構成】 透明基板14上にハーフトーン遮光パターン15と位相シフターパターン16がこの順で積層されてなるハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法であって、透明基板14上にシリコン層15を形成する工程と、形成されたシリコン層15表面に酸化反応処理を施して酸化シリコン層16を形成する工程と、酸化シリコン層16の所定部分をエッチング除去19して位相シフターパターン16を形成する工程と、未酸化のシリコン層15の所定部分をエッチング除去20してハーフトーン遮光パターン15を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
透明基板上にハーフトーン遮光パターンと位相シフターパターンがこの順で積層されてなるハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法において、透明基板上にシリコン層を形成する工程と、形成されたシリコン層表面に酸化反応処理を施して酸化シリコン層を形成する工程と、酸化シリコン層の所定部分をエッチング除去して位相シフターパターンを形成する工程と、未酸化のシリコン層の所定部分をエッチング除去してハーフトーン遮光パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 301 W
