特許

J-GLOBAL ID：200903068703969525

半導体表面の欠陥及び不純物の評価法

発明者： 望月 康則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199722
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028384
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体表面付近に存在する欠陥や不純物の高感度な評価方法を提供する。【解決手段】 評価用pn接合ダイオ-ドは細長い線状の多数のpn接合領域1がコンタクト及びその上部配線3によって束ねられて電極パッド4に導かれた形状をしている。この評価用pn接合ダイオ-ドを用いて電流検知電子スピン共鳴測定を行うことによって、半導体表面付近に存在する欠陥や不純物の高感度な評価が可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体プレ-ナ型pn接合の平面パターンを細長くし、前記半導体プレ-ナ型pn接合の接合面積の増大を抑えて接合周囲長の増大を図る接合を用いるようにしたこと特徴とする半導体表面の欠陥及び不純物の評価法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 24/00 ,  G01N 24/10

FI (4件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 L ,  G01N 24/00 C ,  G01N 24/10 510 Z

Fターム (11件)：

4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AA20 ,  4M106AB11 ,  4M106BA09 ,  4M106BA14 ,  4M106BA20 ,  4M106CB01 ,  4M106CB19 ,  4M106DH11 ,  4M106DH35