特許

J-GLOBAL ID：200903068708840105

超薄型電気光学表示装置の製造方法

発明者： 山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-029589
公開番号（公開出願番号）：特開2004-310056
出願日： 2004年02月05日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】 高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置の製造方法の提供。【解決手段】 単結晶Si基板の表面にSiO2層11を形成し、表示領域のSiO2層11を残して周辺回路領域のSiO2層11を除去し、表示領域にポリSi層12を、周辺回路領域に単結晶Si層13をそれぞれ形成し、表示領域のポリSi層12に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Si層13に周辺回路部を形成し、表示領域の画素開口部となる部分のポリSi層12を除去して画素開口部を形成し、表面保護した単結晶Si基板の裏面側から超薄膜加工を行って超薄型電気光学表示素子基板を形成する。その後、超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り合わせ、支持基板の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分解する。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去する工程と、 半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、 前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、 表面保護した前記単結晶半導体基板の裏面側から超薄膜加工を行い、超薄型電気光学表示素子基板を形成する工程と、 前記超薄型電気光学表示素子基板に支持基板を貼り付ける工程と、 各超薄型電気光学表示装置に分割する工程を含む ことを特徴とする超薄型電気光学表示装置の製造方法。

IPC (7件)：

G09F9/00 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

FI (11件)：

G09F9/00 342Z ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 619B

Fターム (93件)：

2H092GA59 ,  2H092JA23 ,  2H092JA24 ,  2H092JB57 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092KB24 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA31 ,  2H092NA11 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA05 ,  2H092RA05 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB06 ,  5F052DB07 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN46 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA03 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3218861号公報