特許

J-GLOBAL ID：200903068716373010

プラズマ処理装置

発明者： 池上 昌之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107949
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305180
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板の面内の冷却むらに起因する製品の特性異常を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るプラズマ処理装置は、ウエハ3にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、ウエハ3を載置するステージ1と、このステージ1の基板載置面1aに設けられ、ウエハ裏面の外周部を除く全面に対向するように形成された凹形状部1cと、ステージ1の内部に設けられた、上記凹形状部1cに熱伝導ガスを導入するガス導入路2と、ステージ1の内部に設けられた、冷却流体を循環させる流体循環路4と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

被処理基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、被処理基板を載置するステージと、このステージの基板載置面に設けられ、被処理基板の裏面の外周部を除く全面に対向するように形成された凹形状部と、ステージの内部に設けられた、上記凹形状部に熱伝導ガスを導入するガス導入路と、ステージの内部に設けられた、冷却流体を循環させる流体循環路と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

B01J 19/08 H ,  H01L 21/68 N ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (25件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA63 ,  4G075BC06 ,  4G075CA03 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EC06 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075FC11 ,  5F004AA01 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004CA04 ,  5F031CA02 ,  5F031HA07 ,  5F031HA24 ,  5F031HA26 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031PA30