特許
J-GLOBAL ID:200903068728543581
基板処理装置および基板処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-161607
公開番号(公開出願番号):特開平11-354617
出願日: 1998年06月10日
公開日(公表日): 1999年12月24日
要約:
【要約】【課題】 シリコンウエハなどの基板を非接触状態で高速回転する。【解決手段】 保持ユニット9の中央部を貫通する開口部18にウエハ11が配置され、ウエハ11の縁部が把持される。保持ユニット9には磁石27が埋め込まれている。ユニット支持回転装置5には、スラスト支持コイル29、ラジアル支持コイル31およびステータコイル33が設けられている。支持回転装置5は、コイルの磁気力を利用して保持ユニット9を非接触で支持し、回転させる。コイルが保持ユニット9に近接して配置されているので、保持ユニット9は安定して支持されており、高速回転が可能である。また、ウエハ11が上下に露出しているので、ウエハ11の両面にノズル43、45から処理流体を供給することができる。
請求項(抜粋):
基板を回転させて、回転する基板に処理流体を供給することで基板表面を処理する基板処理装置において、基板を保持する保持ユニットと、前記保持ユニットを支持し、回転させるユニット支持回転装置と、前記保持ユニットに保持された前記基板の両面に処理流体を供給する処理流体供給装置と、を含み、前記保持ユニットには、該ユニットを貫通する開口部が設けられ、この開口部に配置された前記基板の縁部が前記保持ユニットにより保持されており、前記ユニット支持回転装置は、前記保持ユニットに近接した位置で磁気力を生じることにより、非接触状態で前記保持ユニットを支持し、回転させることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/68
, H01L 21/027
, H01L 21/304 643
, H01L 21/304 651
FI (4件):
H01L 21/68 N
, H01L 21/304 643 A
, H01L 21/304 651 B
, H01L 21/30 564 C
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