特許

J-GLOBAL ID：200903068738422723

四面体の半導体に次層を形成するための緩衝層としてのエピタキシャル酸化マグネシウム

発明者： デイビッド・ケイ・フォーク ,  梨本 恵一
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310399
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327034
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】四面体半導体基板12上にMgO緩衝層を設け、後の層のエピタキシー生成を可能にし、幾つかのモノリシック装置の形成を容易にする。【構成】本発明の構造は、MgOよりなるエピタキシャル緩衝層と、強誘電体材料よりなるエピタキシャル層または超伝導体材料よりなるエピタキシャル層あるいはこの両方の層がその上に形成された半導体基板を含んでいる。半導体基板は四面体構造型のものであり、そして元素材料であってもよいし化合物材料であってもよい。四面体半導体基板上のMgO緩衝層は後の層のエピタキシー生成を可能にし、幾つかの新規なモノリシック装置の形成を容易にする。

請求項（抜粋）：

四面体化合物半導体基板と、その結晶軸が前記四面体化合物半導体基板の結晶軸に配向するように基板上に成長させられたエピタキシャル酸化マグネシウムよりなる層を含む構造。

IPC (4件)：

H01L 39/02 ZAA ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 21/36