半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333528
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016178
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、アンダーフィルの不要なフリップチップ接続を可能とする半導体装置を実現することにある。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子と、粒子を含有する絶縁材料を該半導体素子の上にマスク印刷することで形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され該半導体素子の有する電極と電気的に接続した外部接続端子とを有するものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子の上に絶縁材料をマスクを用いて印刷することで形成された傾斜部を有する絶縁層と、該絶縁層の上に形成された外部接続端子と、該絶縁層の上に形成され、かつ、該外部接続端子と該半導体素子の回路電極を電気的に接続する配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 21/56 , H01L 21/60 311 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (6件)：

H01L 23/12 501 C , H01L 23/12 501 P , H01L 23/12 501 S , H01L 21/56 E , H01L 21/60 311 S , H01L 23/30 B

Fターム (20件)：

4M109AA02 , 4M109BA05 , 4M109CA12 , 4M109DB16 , 4M109DB17 , 4M109EA02 , 4M109EA08 , 4M109EA10 , 4M109EB14 , 4M109EE02 , 5F044KK02 , 5F044LL00 , 5F044RR17 , 5F044RR18 , 5F044RR19 , 5F061AA02 , 5F061BA05 , 5F061CA12 , 5F061CB13 , 5F061DE03

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-358813 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-375353 出願人：日本電気株式会社
熱可塑性樹脂プリント配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354188 出願人：株式会社東芝

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