特許

J-GLOBAL ID：200903068743518976

光励起外部ミラー垂直キャビティ半導体レーザー

発明者： サルーカトブ、アルト・ケー ,  チーラ、ジュアン・エル・エイ
出願人/特許権者： コヒーレント・インク
代理人 (1件)： 山崎 行造 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-565593
公開番号（公開出願番号）：特表2002-523889
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2002年07月30日
要約：

【要約】光励起半導体(OPS)垂直面発光レーザー(VCSEL)は第1ミラーを含み、この第1ミラーは、レーザーのための利得媒体を与える量子井戸構造を有する。第2ミラー量子井戸構造から離間して、第1ミラーと共にレーザーのための共振キャビティを形成する。光励起輻射はギャップを通じて量子井戸構造の最外層を介して量子井戸構造へ入るように指向されている。量子井戸構造は励起輻射吸収層により離間された複数の量子井戸層を含む。量子井戸及び励起輻射吸収層はGaAs/InGaAsP系の合金のアルミニウム自由層である。

請求項（抜粋）：

半導体レーザーであって、 第1ミラーと、 この第1ミラー上の半導体多重層エピタキシャリ成長量子井戸構造であり、前記第1ミラーから最も遠いエピタキシャリ成長層として規定された出力窓層を有する量子井戸構造とを備え、 前記量子井戸構造は複数の量子井戸グループを含み、その各々はInGaAsの圧縮応力化量子井戸層、スペーサー層グループ、及びこのスペーサー層グループと前記量子井戸層との間のGaAsの遮蔽層を有し、前記スペーサー層グループは、引張張力を有するInxGa(1-x)AsyP(1-y)の単一層と、GaAsの層、GaAsuP(1-u)の引張応力化層のうちの1つを含み、ここでuは約0.9であり、 前記半導体レーザーは更に、 前記出力窓層に対面して且つ離間することにより、前記出力窓層との間に間隙を規定する第2ミラーであり、前記第1ミラーと第2ミラーは、それらの間に長さLの共振キャビティを規定する第2ミラーと、 前記量子井戸構造を光励起する少なくとも1つの励起輻射源であり、前記励起輻射を前記量子井戸構造へその前記出力窓層を介して指向させるように配置された励起輻射源とを備えるレーザー。

IPC (2件)：

H01S 5/04 ,  H01S 5/183

FI (2件)：

H01S 5/04 ,  H01S 5/183

Fターム (8件)：

5F073AA65 ,  5F073AA67 ,  5F073AA74 ,  5F073AB16 ,  5F073AB21 ,  5F073CA12 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35