特許
J-GLOBAL ID:200903068744765314

カーボン系水素貯蔵材の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 落合 健 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-209228
公開番号(公開出願番号):特開2003-026413
出願日: 2001年07月10日
公開日(公表日): 2003年01月29日
要約:
【要約】【課題】 水素貯蔵量の大なるカーボン系水素貯蔵材を得る。【解決手段】 カーボン系水素貯蔵材を製造するに当り,複数の単層カーボンナノチューブ1よりなるバンドル2の集合体に局部構造破壊能を有する電子線を照射して,前記集合体の電子線照射前の比表面積Aと電子線照射後の比表面積Bとの間にB>Aの関係を成立させる。
請求項(抜粋):
複数の単層カーボンナノチューブ(1)よりなるバンドル(2)の集合体(3)に局部構造破壊能を有する電子線を照射して,前記集合体(3)の電子線照射前の比表面積Aと電子線照射後の比表面積Bとの間にB>Aの関係を成立させることを特徴とするカーボン系水素貯蔵材の製造方法。
IPC (4件):
C01B 31/02 101 ,  B01J 20/20 ,  B82B 3/00 ,  C01B 3/00
FI (4件):
C01B 31/02 101 Z ,  B01J 20/20 B ,  B82B 3/00 ,  C01B 3/00 B
Fターム (10件):
4G040AA31 ,  4G040AA36 ,  4G040AA42 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC10 ,  4G066AA04B ,  4G066BA26 ,  4G066CA38 ,  4G066FA31

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