特許
J-GLOBAL ID：200903068751554884
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-350739
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116870
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 不純物を活性化するための熱処理を行っても、炭化珪素層の上面の平坦性を保つことができる半導体装置の製造方法とその方法を使用する半導体製造装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法では、炭化珪素基板1の上部に不純物2をイオン注入した後、炭化珪素基板1を製造装置のシャーレ10内に導入する。そして、炭化珪素基板1を1420°Cの温度まで加熱する。そして、サセプター11内にシランを供給しながら、1420°Cの温度を10分以上保持する。このとき、固体状のシリコン12の融解が進行し、気体になったシリコンが貫通穴15を通過してシャーレ10内に供給される。次に、炭化珪素基板1の温度をさらに上昇させて1500°Cの温度で30分間保持することにより、不純物層を活性化する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素層の一部に、不純物をイオン注入する工程(a)と、
上記工程(a)の後に、気体状のシリコンを含む雰囲気下で、1400°C以上の温度で、上記炭化珪素層に対して熱処理を行う工程(b)とを備える、半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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