特許
J-GLOBAL ID：200903068754375301
薄膜トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084541
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251706
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 画素駆動用薄膜トランジスタの電気特性を改善し点欠陥画素の発生を防止する。【構成】 薄膜トランジスタ2は絶縁基板4の上に形成されている。薄膜トランジスタ2は多結晶半導体からなり、ソース不純物領域2S及びドレイン不純物領域2Dとチャネル領域2Cとの間の少なくとも一方に、前記不純物領域と同一導電型の低濃度不純物領域2LS,2LDが設けられている。この低濃度不純物領域2LS,2LDにはドナーとアクセプタの不純物が拡散されている。ドナー濃度ND は2×1017/cm3 から7×1018/cm3 の範囲に設定され、アクセプタ濃度NA は1×1017/cm3 から5×1017/cm3 の範囲に設定されている。加えて、ドナー濃度ND はアクセプタ濃度NA よりも高くその差は1×1017/cm3 以上に設定されている。かかる条件を満たす事により、薄膜トランジスタ2のリーク電流を抑制できるとともに十分な駆動電流を得る事ができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタは多結晶半導体からなり、前記薄膜トランジスタのソース不純物領域及びドレイン不純物領域とチャネル領域との間の少なくとも一方に、前記不純物領域と同一導電型の低濃度不純物領域を有するとともに、前記低濃度不純物領域にはドナーとアクセプタの不純物が拡散され、このドナー濃度N<SB>D</SB>及びアクセプタ濃度N<SB>A </SB>は、2×10<SP>17</SP>/cm<SP>3 </SP><N<SB>D </SB><7×10<SP>18</SP>/cm<SP>3</SP>1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3 </SP><N<SB>A </SB><5×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3 </SP><N<SB>D </SB>-N<SB>A</SB>なる条件を満たしている事を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
