特許

J-GLOBAL ID：200903068755204136

半導体装置及びその製造方法

発明者： 渡邉 純一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252974
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068991
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 PZTの結晶性を向上すると共に、強誘電体キャパシタの微細化に寄与するFeRAM及びその製造方法を提供する。【解決手段】 FeRAMにおける強誘電体キャパシタは、強誘電体キャパシタの下部電極層の一部を構成するIr膜21及びIrOx膜22を備え、該IrOx膜22の上に設けられた第1PZT膜23及び第2PZT膜4と、該第1及び第2PZT膜23,24の上に設けられた上部電極25とを備える。Ir膜21及びIrOx膜22を特定の成膜条件下で形成することにより、第1及び第2PZT膜23,24の結晶は主として<111>方向に強く配向する。

請求項（抜粋）：

強誘電体キャパシタを有する半導体装置であって、前記強誘電体キャパシタの下部電極層の一部を構成するイリジウム層と、前記イリジウム層の上に設けられた酸化イリジウム層とを備え、さらに、前記酸化イリジウム層の上に設けられたチタン酸ジルコル酸鉛層と、前記チタン酸ジルコル酸鉛層の上に設けられた上部電極層と、を備え、前記チタン酸ジルコル酸鉛層は主として<111>方向に配向する、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (19件)：

5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BH03 ,  5F083FR02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34