特許

J-GLOBAL ID：200903068760016976

半導体装置の製造方法

発明者： 谷 智船
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092157
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283676
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 互いに異なる厚さのゲート絶縁膜を有する2種類のトランジスタを簡便かつ安定に製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に於ける一方の種類のトランジスタのゲート絶縁膜をなす部分にレジストを形成した後、レジストに被覆されない部分にSiO2膜を成長させて第1の絶縁膜よりも厚い第2の絶縁膜を形成した後にこれら第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をゲート絶縁膜とする2種類のトランジスタを形成することで、各トランジスタのゲート電極、サイドウォール絶縁膜等を共通に同時に形成することができることから、ゲート電極或いはサイドウォール絶縁膜をオーバーエッチングすることなく2種類のトランジスタを簡便かつ安定に製造することができる。

請求項（抜粋）：

互いに厚さの異なるゲート絶縁膜を有する2種類のトランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、一導電型の半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する過程と、前記第1の絶縁膜上に於ける第1のトランジスタの形成領域にレジストを形成する過程と、前記第1の絶縁膜上に於ける第2のトランジスタの形成領域にSiO2膜を成長させて前記第1の絶縁膜よりも厚い第2の絶縁膜を形成する過程と、前記レジストを除去した後、前記第1のトランジスタの形成領域に前記第1の絶縁膜のみをゲート絶縁膜として第1のトランジスタを形成すると共に前記第2の絶縁膜が形成された領域に該第2の絶縁膜をゲート絶縁膜として第2のトランジスタを形成する過程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。