特許
J-GLOBAL ID：200903068762824638
ホール電流イオンソース装置及び材料処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-504372
公開番号（公開出願番号）：特表2001-511580
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：
【要約】高い放電パワー及び高い処理速度での、温度の影響を受けやすい材料の真空での処理のための、プラズマビーム装置及び方法。堆積する給送ガスがプラズマビーム中に注入される間、イオンソース給送ガスが導入される、陰となったギャップを有する、ユニークな液冷のアノードと特徴とする、グリッドのない、閉じた又は閉じていないホール電流イオンソースが、記載される。陰になったギャップは、非伝導性堆積物が比較的ないように保たれる、アノード表面の、良好に維持される電気的に活動している領域を提供する。アノード放電領域は、イオンソースの内部への放電の移動を防止するため、絶縁的にシールされる。伝導性コーティングを堆積させている間、アノードの電気的絶縁を保つために、アノードと非アノードの構成部品の間に、真空のギャップも使用される。ホール電流イオンソースの磁界は、放電電流か周期的な交番電流かのいずれかによって動かされる電磁石によって作り出される。
請求項（抜粋）：
(a)ハウジングと、(b)プラズマビームの形成及び加速のための前記ハウジング内の少なくとも1つのアノード放電領域であって、前記アノード放電領域は、前記ハウジングの外部の近傍の第1の端部に開口部を、及び少なくとも1つのギャップを中に有する少なくとも1つのアノードを第2の端部に有し、前記アノードは、前記アノードの背後の前記ハウジングの前記内部中に移動するプラズマの形成を妨げるように、前記ハウジングから電気的に絶縁されているアノード放電領域と、(c)前記アノードを輻射する熱放射によって以外で熱的に冷却する冷却手段と、(d)少なくとも1つの自立したカソードと、(e)ガスの放電を形成し、前記アノードから前記アノード放電領域を通して前記カソードにアノード放電電流を動かすため、作動ガスのブレークダウンのための前記アノードと前記カソードの間に電圧を供給する、前記アノードに接続されたパワーサプライ手段と、(f)作動ガスを前記アノード中の前記ギャップを通して前記アノード放電領域中に導く注入手段と、(g)前記アノード放電領域内に磁界を確立し及び少なくとも部分的に動かすための、前記ハウジング中に設置された電磁石手段とを有することを特徴とする材料の真空での処理のためのグリッドのないイオンソース。
IPC (7件)：
H05H 1/24
, C23C 14/48
, H01J 37/32
, H01L 21/265 603
, H01L 21/302
, H05H 1/46
, H01L 21/203
H05H 1/24
, C23C 14/48 Z
, H01J 37/32
, H01L 21/265 603 A
, H05H 1/46 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/302 Z
