セラミックス皮膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-401868
公開番号（公開出願番号）：特開平6-306644
出願日： 1990年12月13日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】〔目的〕本発明は、気相めっき法を利用して体積抵抗率及び絶縁破壊電圧等の電気的特性に優れたセラミックス皮膜を基材表面に効率よく形成できる方法を提供することを目的とする。〔構成〕本発明は、陽極火花放電法によりセラミックス皮膜を形成した基体上に、さらに気相めっき法によりセラミックス皮膜を形成することを特徴とするセラミックス皮膜の形成方法である。〔効果〕本発明によれば、体積抵抗率及び絶縁破壊電圧等の電気的特性に優れたセラミックス皮膜を基材表面に効率よく形成できるとともに、気相めっき法により形成した皮膜について問題となる耐塩水性も向上させることができる。

請求項（抜粋）：