特許

J-GLOBAL ID：200903068770404990

ニオブ酸リチウム単結晶薄膜とその製造方法

発明者： 大野 一茂 ,  大野 哲史
出願人/特許権者： イビデン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070143
公開番号（公開出願番号）：特開平5-229899
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月07日
要約：

【要約】【目的】 光伝搬損失が低く、耐光損傷性が高いニオブ酸リチウム単結晶薄膜を製造すること。【構成】 ナトリウムとマグネシウムを含有させたニオブ酸リチウム単結晶薄膜に対して酸化雰囲気にてアニーリングを施す。雰囲気は、酸素濃度が少なくとも20%以上、雰囲気の流量は、1000SCCM以下、雰囲気温度は、300〜800°C、アニーリング時間は、2〜8時間、昇温速度は20°C/分以下、降温速度は25°C/分以下の条件が望ましい。

請求項（抜粋）：

タンタル酸リチウム基板上に形成されてなり、少なくともナトリウム、マグネシウムおよび価数が+4以下のバナジウムが含有されてなることを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶薄膜。

IPC (4件)：

C30B 29/30 ,  C01G 33/00 ,  C30B 19/04 ,  C30B 33/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-012095
  
• 特開平4-012095
  
• 特開平3-199200
  
• 特開昭63-270397