特許
J-GLOBAL ID：200903068773284279
ゲート酸化膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319800
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129596
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 絶縁破壊耐圧を高めたゲート酸化膜の形成方法を得る。【構成】 シリコンウェーハの表面にゲート酸化膜を形成するゲート酸化膜の形成方法において、乾燥酸素雰囲気による酸化後、水蒸気雰囲気で酸化する。MOSトランジスタのゲート絶縁膜を形成する場合、そのゲート酸化膜は、その厚さの20〜99%の部分をドライ酸化法で形成した後、残りの部分をウエット酸化法で形成する。この結果、ゲート酸化膜の絶縁破壊電界強度が高められる。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表面に熱酸化法によりゲート酸化膜を形成するゲート酸化膜の形成方法において、上記ゲート酸化膜は、乾燥酸素雰囲気による酸化後、水蒸気を含む雰囲気で酸化することを特徴とするゲート酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
