特許

J-GLOBAL ID：200903068781488100

半田バンプの形成方法

発明者： 長谷川 潔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108687
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321113
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 ICの複数の電極にファインピッチの、高さのばらつきが少ない半田バンプを短時間で形成すること。【構成】 ICが形成された半導体ウエハの電極パッド2上にバリアメタル層4を形成した後、耐熱性のホトレジスト5を塗布し、このホトレジスト層を電極パターンが形成されたマスクを用いて露光し、そのホトレジスト5を現像してホトレジストに開口部6を形成し、これらの開口部6に半田ペースト9を印刷により充填し、そして、この充填された半田ペーストを加熱して球状化させて、所望の形状の半田バンプを形成することで、前記目的を達成することができる。

請求項（抜粋）：

ICなどが形成された半導体ウエハの電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法において、電極上にバリアメタル層を形成した後に耐熱性のホトレジストを塗布する工程と、マスクを用いて前記ホトレジストを露光する工程と、前記ホトレジストを現像してホトレジストに開口部を形成する工程と、前記開口部に半田ペーストを印刷により充填する工程と、この充填された半田ペーストを加熱して球状化させる工程とからなる半田バンプの形成方法。