特許

J-GLOBAL ID：200903068801693198

固体撮像装置及びその駆動方法

発明者： 三井田 ▲高▼
出願人/特許権者： イノテック株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298662
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 サブスレッショルド電流のばらつきの影響を抑制し、出力電圧の変調ばらつきを低減する。【解決手段】 チャネル下の高濃度埋込層に光発生電荷を蓄積して閾値電圧を変調させて光信号を検出する固体撮像素子と、光変調後の第1のソース電位と光変調前の第2のソース電位との差の電圧を出力する信号出力回路105とを有し、信号出力回路105は、ソース領域に第1のスイッチCK1を介して接続された第1のラインメモリLmsと、ソース領域に第2のスイッチCK2を介して接続された第2のラインメモリLmnとを有し、かつ第1のスイッチCK1及び第2のスイッチCK2とソース領域との間に第1の高電圧ブロック用スイッチCK7を有する。

請求項（抜粋）：

受光ダイオード及び該受光ダイオードに隣接する光信号検出用絶縁ゲート型電界効果トランジスタを備えた単位画素を有し、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの部分はソース領域の近傍であってゲート電極下のウエル領域内に設けられた前記受光ダイオードで光照射により発生した光発生電荷を蓄積する高濃度埋込層を有し、前記光発生電荷を前記高濃度埋込層に蓄積して閾値電圧を変調させて光信号を検出する固体撮像素子と、前記光信号検出用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極に走査信号を出力する垂直走査信号駆動走査回路と、前記高濃度埋込層に蓄積された前記光発生電荷を掃き出すための電圧を前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース領域に供給する高圧供給回路と、前記光発生電荷を前記高濃度埋込層に蓄積した状態での第1のソース電位を第1の入力に入力し、前記光発生電荷を前記高濃度埋込層から掃き出した状態での第2のソース電位を第2の入力に入力し、それらの入力に対応した電圧を出力する信号出力回路とを有し、前記信号出力回路の前段に前記高圧供給回路からの高電圧の入力を阻止する高電圧ブロック用スイッチ回路を備えたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 G

Fターム (25件)：

4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA39 ,  4M118FA42 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  5C024CX27 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024GY35 ,  5C024GY38 ,  5C024HX29 ,  5C024HX57 ,  5F049MA02 ,  5F049NA17 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049UA01 ,  5F049UA14