特許
J-GLOBAL ID:200903068808941073
ポジ型レジスト組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-109499
公開番号(公開出願番号):特開2003-302762
出願日: 2002年04月11日
公開日(公表日): 2003年10月24日
要約:
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び密着性の優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。【解決手段】 (A)光酸発生剤、(B)特定構造の繰り返し単位及び(メタ)アクリル繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、及び(C)炭素数7〜15の脂肪族環状炭化水素基とアルコール性水酸基とを有するアルコール化合物、を含有するポジ型レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)光酸発生剤、(B)下記一般式(I)で表される繰り返し単位及び(メタ)アクリル繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、及び(C)炭素数7〜15の脂肪族環状炭化水素基とアルコール性水酸基とを有するアルコール化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)中:R1〜R4は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、-COOH、置換基を有していてもよい炭化水素基、-COOR5、-C(=O)-X-A-R6、又は酸の作用により分解する基を表す。但し、R1〜R4の全てが同時に水素原子を表すことはない。尚、R1〜R4のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。R5は、置換基を有していてもよい炭化水素基又はラクトン残基を表す。R6は、水素原子、-COOH、-COOR5、-CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又はラクトン残基を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、-NHSO2-、又は-NHSO2NH-を表す。Aは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、スルホンアミド基、及びN-スルフォニルアミド基よりなる群から選択される単独或いは2つ以上の基の組み合わせを表す。nは0又は1を表す。
IPC (5件):
G03F 7/039 601
, C08F220/00
, C08F232/00
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
FI (5件):
G03F 7/039 601
, C08F220/00
, C08F232/00
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
Fターム (47件):
2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AK32Q
, 4J100AK32R
, 4J100AL02R
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AM01R
, 4J100AM01S
, 4J100AR09P
, 4J100AR09Q
, 4J100AR11P
, 4J100AR32P
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA04Q
, 4J100BA11R
, 4J100BA11S
, 4J100BA15P
, 4J100BA20P
, 4J100BA40P
, 4J100BA40R
, 4J100BC04P
, 4J100BC08R
, 4J100BC08S
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC12R
, 4J100BC53P
, 4J100BC53R
, 4J100BC53S
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100FA03
, 4J100FA19
, 4J100HA08
, 4J100JA38
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