特許
J-GLOBAL ID：200903068809521108
固体撮像装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041510
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 固体撮像装置の製造方法に関し、動作時の低温より非動作時の室温迄の温度雰囲気に該装置の基板を曝した場合でも、熱膨張率が略等しい基板同志を用いることにより、金属バンプの位置ずれが発生しないようにした装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 半導体基板11上に設けたエピタキシャル層12に信号処理素子を形成し、絶縁膜13を形成後、該エピタキシャル層12側と、別個に用意したベース基板14とを接着剤15で接着する工程、前記エピタキシャル層12を形成した半導体基板11側を前記エピタキシャル層12が露出する迄、選択的にエッチングし、該露出したエピタキシャル層12上に絶縁膜16を被着形成する工程、別個に用意した絶縁性基板上に半導体結晶を設け、該半導体結晶上に絶縁膜を形成する工程、前記信号処理素子を形成したエピタキシャル層に形成した絶縁膜と、前記絶縁性基板上に設けた半導体結晶上の絶縁膜同志を親水性処理により接着する工程を含むことで構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(11)上に設けた信号処理素子と化合物半導体基板に形成した光検知素子とを金属バンプで接合した固体撮像装置を製造する場合に於いて、半導体基板(11)上に設けたエピタキシャル層(12)に信号処理素子を形成し、絶縁膜(13)を形成後、該エピタキシャル層(12)側と、別個に用意したベース基板(14)とを接着剤(15)で接着する工程、前記エピタキシャル層(12)を形成した半導体基板(11)側を前記エピタキシャル層(12)が露出する迄、選択的にエッチングし、該露出したエピタキシャル層(12)上に絶縁膜(16)を被着形成する工程、別個に用意した絶縁性基板(17)上に半導体結晶(18)を設け、該半導体結晶(18)上に絶縁膜(21)を形成する工程、前記信号処理素子を形成したエピタキシャル層(12)に形成した絶縁膜(16)と、前記絶縁性基板(17)上に設けた半導体結晶(18)上の絶縁膜(21)同志を親水性処理により接着する工程、前記ベース基板(14)を除去し、エピタキシャル層(12)に設けた絶縁膜(13)を開口して金属バンプを形成することで、前記絶縁性基板(17)上に設けた半導体結晶(18)、および絶縁膜(21)を介して信号処理素子を形成する工程を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 27/12
, H01L 29/28
