特許
J-GLOBAL ID：200903068811180253
不揮発性半導体メモリ装置およびその検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080139
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339500
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 長時間のスクリーニング検査を行って製品にダメージを与えなることなく充分な検査を行い、データ保持に関して高い信頼性(少ない不良率)の強誘電体メモリを有する不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 強誘電体メモリセル3と、電源電圧Vccの低下を監視すると共に、その電圧が所定の電圧より低いときに電源電圧Vccを遮断してメモリセル3を動作させなくする検出回路2とを有する不揮発性半導体メモリであって、制御入力信号により電源電圧Vccが所定の電圧より低い電圧でも前記電源電圧Vccを遮断させないようにする制御手段1が設けられている。
請求項（抜粋）：
強誘電体メモリセルと、電源電圧をモニタ電圧として検出する検出回路と、前記検出回路で検出された前記電源電圧に応じて、電源電圧が書き込み禁止の電圧より低いときに前記電源電圧を遮断して前記メモリセルを動作させなくする遮断回路と、制御入力信号により前記電源電圧が前記書き込み禁止電圧より低くなった際にも前記遮断回路の遮断動作を中止することのできる制御手段とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (4件)：
G11C 29/00 673
, G11C 11/22
, G11C 14/00
, G11C 11/401
G11C 29/00 673 F
, G11C 11/22
, G11C 11/34 352 A
, G11C 11/34 371 A
