特許
J-GLOBAL ID：200903068811385246
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227897
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074188
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 低温熱処理が可能で、低コンタクト抵抗を実現したうえでなお、接合リーク電流が微小なものとなる半導体記憶装置を得る。【解決手段】 コンタクトホール14aの底面にあたる半導体基板1の表面に付着する、主成分が炭化ケイ素の変質層を除去してコンタクト領域12を形成する。このコンタクト領域12に接し、コンタクトホール14aを介して層間絶縁層14上に延在する低不純物濃度の第1の配線層15aと、その上層の高不純物濃度の第2の配線層15bを積層し、配線層15aからの不純物拡散により低不純物濃度の不純物領域11を形成し、配線層15bからの不純物拡散により高不純物濃度の不純物領域10を形成する。不純物領域10の周囲を11が囲む構造となるため、これらの周囲に存在するP型ウェル2叉はP型チャネルカット領域4とこれらとの間の電界強度が緩和され、リーク電流が抑制される。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板の一主面上に形成されたコンタクトホールを有する層間絶縁層と、上記半導体基板の表面の上記コンタクトホールに開口する部分に形成されたコンタクト領域と、このコンタクト領域に接続されるとともに上記コンタクトホールを介して上記層間絶縁層上に延在し、第2の導電型を呈するための不純物の濃度の分布が上記コンタクト領域からの距離が遠いほど高濃度である配線と、上記半導体基板の一主面に位置し、上記コンタクト領域と接するとともに、その不純物濃度の分布が上記コンタクト領域からの距離が遠いほど低濃度となる第2の導電型の不純物領域を備えた半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/225
, H01L 21/28
, H01L 21/768
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/225 P
, H01L 21/28 A
, H01L 21/90 C
, H01L 29/78 301 S
